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国产128层QLC闪存已问世 国度砸钱1700亿:二期开工

2020-06-21| 发布者: 五台信息港| 查看: 135| 评论: 1|文章来源: 互联网

摘要: 国度存储器基地项目二期在武汉东湖高新(5.850,0.07,1.21%)区开工。国度存储器基地项目由紫光集团、国度集成电路基......

国度存储器基地项目二期在武汉东湖高新(5.850, 0.07, 1.21%)区开工。国度存储器基地项目由紫光集团、国度集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金配合投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工场。项目一期于2016年底开工建设,进展顺遂,32层、64层存储芯片产物已实现稳定量产,并乐成研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。

色情小视频福利群二维码4年前的2016年,国度在武汉建设了国度存储器基地项目一期,不仅量产了64层闪存,本年初还研发乐成128层QLC闪存。昨天国度存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动,整个项目投资高达240亿美元,约合1697亿元。

在开工仪式上,紫光集团、长江存储董事长赵伟国先容了项目有关情况。他表示,国度存储器基地项目一期开工建设以来,从一片荒芜之地酿成了一座世界领先的存储器芯片工场,实现了技能水平从跟跑到并跑的跨越。


 

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